PDTD114ETR 与 BCR 533 E6327 区别
| 型号 | PDTD114ETR | BCR 533 E6327 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PDTD114ETR | A-BCR 533 E6327 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| R2 | - | 10k Ohms | ||||
| 功率耗散Pd | 320mW | 330mW | ||||
| 特征频率fT | 225MHz | 100MHz | ||||
| 产品特性 | 车规 | 带阻/预偏置 | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||
| VCBO | 50V | 50V | ||||
| 工作温度 | -65°C~175°C | -65°C~150°C | ||||
| 集电极电流Ic | 500mA | 500mA | ||||
| 系列 | - | BCR533 | ||||
| VEBO | 10V | - | ||||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||
| 直流电流增益hFE | 70 | 70 | ||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||
| R1 | - | 10k Ohms | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 300,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PDTD114ETR | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 320mW 50V 500mA 车规 NPN |
￥0.2038
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300,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 500mA NPN |
￥1.106
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30,322 | 对比 | ||||||||||||
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DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 500mA NPN |
暂无价格 | 12,270 | 对比 | ||||||||||||
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DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 500mA NPN |
￥1.2826
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12,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 500mA NPN |
￥1.566
|
100 | 对比 | ||||||||||||
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BCR 533 E6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 330mW 50V 500mA NPN 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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